Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок

В книге обобщено современное состояние одной из отраслей производства изделий электронной техники: вакуумной технологии нанесения и травления тонких пленок. Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок, плазмохимических установок для травления тонких пленок и технологических особенностей их использования.
Книга рассчитана на специалистов научно-исследовательских лабораторий, конструкторских бюро и производственных подразделений предприятий, занимающихся разработкой и изготовлением различных изделий электронной техники и оборудования для их производства.

Описаны математические модели, способы управления и примеры использования реактивного магнетронного напыления, принципы построения и применения среднечастотных источников питания для реактивного магнетронного напыления. Приведены теоретические основы и физические принципы конструирования нового типа источника высокочастотного разряда низкого давления для ионного или плазмохимического травления тонких пленок и/или их стимулированного плазмой осаждения.

Оглавление:

Часть 1. Напыление тонких пленок

• Глава 1. Технологические особенности нанесения резистивных слоев
• Глава 2. Технологические особенности нанесения металлизации ГИС
• Глава 3. Устройство магнетронного источника распыления
• Глава 4. Способы получения равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
• Глава 5. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона
• Глава 6. Магнетронные напылительные установки предприятия. ООО «Эсто-Вакуум»
• Глава 7. Технологические особенности нанесения различных слоев на магнетронной установке
• Глава 8. Предотвращение появления следов электрических разрядов на металлической пленке, нанесенной с помощью магнетрона
• Глава 9. Способы управления процессом реактивного магнетронного распыления с помощью вольтамперных характеристик разряда
• Глава 10. Моделирование процесса реактивного нанесения
• Глава 11. Получение чередующихся слоев различных диэлектриков на основе кремния в одном процессе на магнетронной установке

Часть 2. Плазмохимические процессы

• Глава 12. Физические процессы и модели высокочастотного разряда низкого давления
• Глава 13. Различные способы возбуждения ВЧ поля в плазме
• Глава 14. Импеданс емкостного ВЧ-разряда низкого давления
• Глава 15. Свойства слоя пространственного заряда
• Глава 16. Возбуждение ВЧ поля в TCP-разряде
• Глава 17. Распределение плотности электронов в плазме
• Глава 18. Ранее выпускавшаяся установка для реактивного ионно-плазменного травления «Каролина РЕ-4» (ЭРА-ЗМ, ЭРА-4)
• Глава 19. Шлюзовая установка плазмохимического травления «Каролина РЕ-11»
• Глава 20. Шлюзовая установка плазмохимического травления «Каролина 15»
• Глава 21. Плазменно-стимулированное осаждение слоев из газовой фазы (PCVD) с применением генератора высокоплотной плазмы типа трансформаторно-связанной плазмы (TCP)

Авторы: Берлин Е.В., Двинин С.А., Сейдман Л.А.
Издательство: Техносфера
Серия: Мир материалов и технологий
Год издания: 2007
Страниц: 176
ISBN: 978-5-94836-134-5
Качество: хорошее
Формат: DjVu (о формате)

 

Скачать книгу (1,5 МБ):